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      限制電壓比

      限制電壓比是指在通流能力實(shí)驗(yàn)中通過(guò)特定電流時(shí)加在壓敏電阻器兩端的電壓Up與壓敏電壓U1mA的比值。它體現(xiàn)了壓敏電阻器在大電流通過(guò)時(shí)的非線性特性，限制電壓比越小，越能起到保護(hù)電路的作用。通流值和限制電壓比一同反映了壓敏電阻工作特性的好壞，即是壓敏電阻通流值越大越能吸收浪涌電流，限制電壓比越小，分流作用就越明顯，保護(hù)特性就越好。

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ZnO是六方晶系纖鋅礦結(jié)構(gòu)，其化學(xué)鍵處于離子鍵與共價(jià)鍵的中間鍵型狀態(tài)，氧離子以六方密堆，鋅離子占據(jù)一半的四面體空隙，鋅和氧都是四面體配位。ZnO是相對(duì)開(kāi)放的晶體結(jié)構(gòu)，開(kāi)放的結(jié)構(gòu)對(duì)缺陷的性質(zhì)及擴(kuò)散機(jī)制有影響，所有的八面體間隙和一半的四面體間隙是空的，正負(fù)離子的配位數(shù)均為4，所以容易引入外部雜質(zhì)，ZnO熔點(diǎn)為2248，密度為5.6g/cm3，純凈的ZnO晶體，其能帶由02-的滿的2p電子能級(jí)和Zn2+的空的4s能級(jí)組成，禁帶寬度為3.2～3.4eV，因此，室溫下，滿足化學(xué)計(jì)量比的純凈ZnO應(yīng)是絕緣體，而ZnO中常見(jiàn)的缺陷是金屬填隙原子，所以它是金屬過(guò)剩(Zn1+xO)非化學(xué)計(jì)量比n型半導(dǎo)體。

Eda等認(rèn)為，在本征缺陷中，填隙鋅原子擴(kuò)散快，對(duì)壓敏電阻穩(wěn)定性有很大影響。

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當(dāng)過(guò)電壓幅值高于規(guī)定電流下的電壓，過(guò)電流幅值小于壓敏電阻器的頂峰值電流時(shí)(若無(wú)壓敏電阻器足以使設(shè)備元器件破壞)，壓敏電阻器處于擊穿區(qū)，壓敏電阻器將過(guò)電壓限制在較低的水平上(小于設(shè)備的耐壓水平)，同時(shí)通過(guò)壓敏電阻器的沖擊電流很大，使壓敏電阻器性能劣化即將失效，這時(shí)通過(guò)熔斷器的電流很大，熔斷器斷開(kāi)，這樣既可使電器設(shè)備、元器件免受過(guò)電壓沖擊，也可避免由于壓敏電阻器的劣化擊穿造成線路L-N、L-PE之間短路

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