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壓敏電阻采購(gòu)，就選源林電子，型號(hào)豐富

壓敏電壓和電阻器厚度的關(guān)系：

對(duì)ZnO壓敏電阻器，加在每晶界上的電壓約為3.5V，所以當(dāng)晶粒大小一定時(shí)，壓敏電阻器越厚，壓敏電壓越高，關(guān)系如下：

U=UgbNgt , E0.5=U/t

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壓敏電阻連續(xù)工作電壓壽命，即壓敏電阻在規(guī)定環(huán)境和系統(tǒng)電壓條件下應(yīng)能可靠地工作規(guī)定的時(shí)間（h）。由于壓敏電阻總是承受著穩(wěn)態(tài)工作電壓應(yīng)力的作用，壓敏電阻的壽命是與漏電流密切相關(guān)的。在不發(fā)生機(jī)械或其他電氣性能失效的情況下，壓敏電阻的壽命主要由漏電流IR（密度JR）及其溫度、電壓和時(shí)間的上升情況所決定。隨著漏電流IR（密度JR）升高，發(fā)熱量增大，若這個(gè)能量不能散失，元件的溫度會(huì)很快上升，這種元件在維持一段初始穩(wěn)定狀態(tài)后，終將達(dá)到熱失控（擊穿）的溫度而結(jié)束其使用壽命。

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壓敏電阻交流作用下的老化機(jī)理

交流作用下。在正半周時(shí)，假設(shè)右側(cè)為正極性，電壓主要加在右側(cè)的耗盡層上，使右側(cè)的Zni向晶界遷移，而左側(cè)所加電壓很低，Zn

i向晶粒內(nèi)遷移不大；在負(fù)半周，電壓主要加在左側(cè)，使左側(cè)Zni向晶界遷移，右側(cè)這時(shí)所加電壓很低，Zni向晶粒體內(nèi)遷移不大。總的結(jié)果是左右兩側(cè)的Zni都向晶界遷移。

源林電子是一家專業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)壓敏電阻的高科技電子元器件企業(yè)。主營(yíng)壓敏電阻、熱敏電阻和溫度傳感器，自有研發(fā)團(tuán)隊(duì)，廠家直銷！

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