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ZnO壓敏電阻器的結(jié)構(gòu)：

晶粒體為電阻率很低的半導(dǎo)體，晶界為絕緣體，類似邊界層電容器，另在晶界形成兩背靠背的肖特基勢(shì)壘。因鄰近晶粒的取向不同，兩晶粒交界處結(jié)構(gòu)松弛，雜質(zhì)占據(jù)這些位置比占據(jù)體內(nèi)晶格位置的能量低，所以容易在晶界偏析。

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氧化鋅壓敏電阻因具有良好的非線性特性而成為低壓電源系統(tǒng)和信息系統(tǒng)中電涌防護(hù)的主要設(shè)施。其可靠性主要取決于壓敏電阻耐受電涌沖擊的能力。一個(gè)性能良好的氧化鋅壓敏電阻在經(jīng)受電涌沖擊以后,其電氣特性應(yīng)返回到初始狀態(tài)。然而在運(yùn)行過(guò)程中,由于經(jīng)受諸如電應(yīng)力、機(jī)械應(yīng)力等各種應(yīng)力的作用,壓敏電阻會(huì)出現(xiàn)性能劣化和老化現(xiàn)象,這就降低了壓敏電阻電涌防護(hù)的能力。研究人員采用了多種測(cè)量及診斷裝置來(lái)研究壓敏電阻的老化機(jī)理及檢測(cè)金屬氧化物壓敏電阻內(nèi)部的狀態(tài)[1～2]。一般經(jīng)常采用的方法是測(cè)量直流1mA下壓敏電阻兩端的電壓或者測(cè)量壓敏電阻在一定幅值8/20電流沖擊下的殘壓來(lái)對(duì)壓敏電阻的電氣性能進(jìn)行分析判斷。但是這些測(cè)試方法只能反映壓敏電阻的整體性能,不能反映壓敏電阻的老化及劣化的程度,所以無(wú)法為判斷壓敏電阻的性能狀態(tài)提供可靠的判據(jù)。

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老化的表現(xiàn)：

老化是指在各種外加應(yīng)力及外界因素作用下，其性能及電氣物理參數(shù)發(fā)生改變，逐步偏離其起始性能指標(biāo)。ZnO壓敏電阻器老化后的I-V特性，老化主要集中在預(yù)擊穿區(qū)，而擊穿區(qū)的老化較小，表現(xiàn)為I-V特性曲線在低電場(chǎng)區(qū)向右偏移，阻性電流加大，功率損耗增大，壓敏電壓下降。直流電壓作用后的老化，I-V特性不對(duì)稱；交流電壓作用下的老化。另老化后電容量減小，介電損耗增大。

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