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壓敏電壓和電阻器厚度的關(guān)系：

對ZnO壓敏電阻器，加在每晶界上的電壓約為3.5V，所以當(dāng)晶粒大小一定時(shí)，壓敏電阻器越厚，壓敏電壓越高，關(guān)系如下：

U=UgbNgt , E0.5=U/t

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ＺｎＯ　壓敏電阻的微觀結(jié)構(gòu)分析發(fā)現(xiàn)，形成的四個主要 成分是?。冢睿?、尖晶石、焦綠石和一些富?。拢椤∠啵▓D?。常?。圖 中也指明了組分存在的部位，還存在一些用現(xiàn)有技術(shù)尚不 易檢測出來的其它次要相。 ＺｎＯ　壓敏電阻的典型晶粒尺寸在１５和２０μｍ　之間， 并且也總是伴有雙晶。ＳｉＯ２的存在抑制晶粒生長，而　ＴｉＯ２　 和?。拢幔稀t加速晶粒長大。尖晶石和焦綠石相對晶粒長大有 抑制作用。焦綠石相在低溫時(shí)起作用，而尖晶石相在高溫 時(shí)有利。當(dāng)用鹽酸浸蝕晶粒時(shí)，中間相呈現(xiàn)出在電性上絕 緣的三維網(wǎng)絡(luò)。 燒結(jié)形成的?。冢睿稀【ЯＪ恰。冢睿稀好綦娮璧幕緲?gòu)成單純?。冢睿稀∈蔷哂芯€性?。桑铡√匦缘姆腔瘜W(xué)計(jì)量　ｎ　型半導(dǎo) 體。進(jìn)入　 ＺｎＯ　 中的各種添加物使其具有非線性。這些氧 化物中主要是　 Ｂｉ ２Ｏ３。這些氧化物的引入，在晶粒和晶粒 邊界處形成原子缺陷，施主或類施主缺陷支配著耗盡層， 而受主和類受主缺陷支配著晶粒邊界狀態(tài)。相關(guān)的缺陷類 型是鋅空位（Ｖ Ｚｎ＇、Ｖ Ｚｎ＇＇）、氧空位（Ｖ ｏ 、Ｖ ｏ ）、填隙鋅

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