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暫態(tài)過(guò)電壓破壞，這是指較強(qiáng)的暫態(tài)過(guò)電壓使電阻體穿孔，導(dǎo)致更大的電流而高熱起火。整個(gè)過(guò)程在較短時(shí)間內(nèi)發(fā)生，以至電阻體上設(shè)置的熱熔接點(diǎn)來(lái)不及熔斷。在三相電源保護(hù)中，N-PE線(xiàn)之間的壓敏電阻器燒壞起火的事故概率較高，多數(shù)是屬于這一種情況。相應(yīng)的對(duì)策集中在壓敏電阻損壞后不起火。一些壓敏電阻的應(yīng)用技術(shù)資料中，推薦與壓敏電阻串聯(lián)電流熔絲（保險(xiǎn)絲）進(jìn)行保護(hù)。

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低壓ZnO壓敏電阻的特性與晶界的結(jié)構(gòu)狀態(tài)有密切關(guān)系，關(guān)于壓敏電阻的顯微結(jié)構(gòu)，人們也以Bi系ZnO壓敏電阻為基礎(chǔ)，建立了不同的模型進(jìn)行研究，如微電阻模型，即將壓敏電阻等效為包含在多晶材料中的分立的晶界，還有運(yùn)用薄膜技術(shù)制造的單結(jié)等來(lái)模擬ZnO

壓敏陶瓷的顯微結(jié)構(gòu)材料中主要的相是半導(dǎo)化的ZnO晶粒，許多ZnO晶粒直接接觸，晶粒間沒(méi)有其它相，形成了雙ZnO-ZnO晶界(同質(zhì)結(jié))。由于Bi等大尺寸離子在晶界偏析，改變了晶界的結(jié)構(gòu)，電流通過(guò)這些晶界，這些晶界稱(chēng)為電活性晶界，電活性晶界是決定壓敏電阻性質(zhì)的關(guān)鍵。在三個(gè)晶粒的交界處，有時(shí)在兩個(gè)晶粒（可能有特殊取向）之間，存在粒間相，粒間相在導(dǎo)電過(guò)程中大多是電學(xué)非活性的。該相主要包括各種添加物形成的化合物。陶瓷材料中的所有成分都可以溶解在粒間相中，在燒結(jié)過(guò)程中，晶粒交界處可能形成尖晶石晶體，但是它們不參與導(dǎo)電過(guò)程。氧化物的改性添加可以改變晶粒電導(dǎo)或晶界的結(jié)構(gòu)及化學(xué)狀態(tài)，尤其是偏析于晶

界的雜質(zhì)對(duì)晶界活性有很大的影響，因而適當(dāng)?shù)膿诫s選擇對(duì)形成和改善非線(xiàn)性起著很重要的作用，而且晶界勢(shì)壘是ZnO壓敏陶瓷燒結(jié)時(shí)在高溫冷卻過(guò)程中形成的，燒結(jié)工藝直接影響雜質(zhì)缺陷在晶界中的分布，從而影響晶界化學(xué)結(jié)構(gòu)。另外，低壓ZnO壓敏電阻的晶粒尺寸要足夠大，單位厚度的晶界數(shù)少，因此低壓壓敏電阻對(duì)顯微結(jié)構(gòu)的波動(dòng)尤其敏感，工藝對(duì)低壓壓敏電阻壓敏特性的作用也不可忽視。

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